붙는 형태의 H-어그리게이션(H-aggregation)과 서로 X자 모양으로 빗겨서
형성되는 X-어그리게이션(X-aggregation)의 형태의 존재를 확인하였고, 이
는 전자구름의 겹침과도 밀접하게 연관되어 소자 성능에 영향을 주는 것으
로 밝혀졌다.
∘ 또한 서로 다른 종류의 고분자 응집 형태들은 유기 박막 제조 방식을 이용
하여 제작한 유기 박막 트랜지스터에서 매우 큰 차이의 전하 이동도를 보였
으며 (최고 1.544 cm2 V-1 s-1/ 전하이동도 차이 10배 이상), 이를 통해 전
하 이동에 적합한 고분자 응집 형태가 있다는 것을 확인하였다.
□ 김동유 교수는 “이번 연구를 통해 이전에 보고되었던 다양한 박막들에서 소
자성능의 원인을 주로 고분자 사슬의 방향성(Orientation)으로 연관 짓던 현
재까지의 해석에서 더 나아가, 고분자 사슬 및 분자간 오비탈의 구조적인 쌓
임에 대한 이해도를 한층 향상시켜 줄 수 있는 구조적 통찰에 관한 새로운
방법을 제시하였다는데 연구의 의의가 있다”라고 말했다.
□ 이번 연구성과는 GIST 김동유 교수(교신저자)의 주도 하에, 신소재공학부
임대희 박사과정 연구원과 김연주 박사과정 연구원(공동 제1저자)이 수행하
였으며, 과학기술정보통신부와 한국연구재단이 추진하는 중견연구자지원사업
(도약연구, 전략) 및 한국에너지기술평가원과 한국화학연구원이 추진하는 에
너지기술개발사업의 지원을 받아 수행되었다.
∘ 연구결과는 국제저명학술지 케미스트리 오브 머터리얼스(Chemistry of
Materials, IF: 9.890)에 4월 게재됐다. 또한 학계 및 일반인에게 널리 알릴
만한 내용으로 인정받아 표지(Front Cover)에 선정되어 2019년 13호에(7
월 9일자) 공개될 예정이다. <끝>