홍성민 교수 연구팀, 한국반도체학술대회
최우수논문상 수상
- 국내 최대의 반도체 관련 학술대회에서“실리콘-산화막 계면의 결함 상태의
특성을 제1원리 계산법으로 계산”한 연구성과로 최우수논문상 수상
□ GIST(지스트, 총장 문승현) 전기전자컴퓨터공학부 홍성민 교수 연구팀이
‘한국반도체학술대회 최우수 논문상’을 수상했다.
∘ 올해로 26회째를 맞는 한국반도체학술대회는 국내 최대의 반도체 관련 학술
대회로 2월 13일(수)부터 15일(금)까지 강원도 횡성군 웰리힐리파크에서
DB하이텍과 한국반도체산업협회, 한국반도체연구조합이 공동 주관으로 개최되
었다.
□ 이번 대회는 사물인터넷 속 스마트 반도체와 4차 산업혁명(Smart Semiconductor
in IoT and 4th Industrial Revolution)이라는 주제로 초청발표와 구두발표, 포
스터발표 등 총 815편의 우수 논문이 발표되었다. 수상자에 대한 시상은 2월
14일(목)에 진행되었다.
□ 홍성민 교수(교신저자)가 주도하고 석박사통합과정 박준성 학생(제1저자)이
수행한 “First principles approach to analyze defect-induced
multiphonon transition at the Si-SiO2 interface” 논문에서 연구팀은 실리
콘-산화막 계면에 위치한 결함 상태가 가지는 홀 포획 단면의 크기를 제1원
리 계산법을 통해 계산하였다.