GIST(광주과학기술원, 총장 김기선) 전기전자컴퓨터공학부
박정환 석사과정생이 분리가능한 GaN 성장기법 중 기판 분해의 온도의존성에 따른 그래핀 양상 변화에 대한 연구논문을 발표하였다.
해당 연구에서는 그래핀 위에 질화갈륨(GaN)층을 성장하는 기법과 관련하여 온도에 따른 기판 분해 현상을 확인하였고, 그에 따른 그래핀의 손상 여부 역시 확인하였다. 이는 그래핀 위에 성장하는 화합물 반도체에 있어 그래핀의 손상이 없는 성장 기법을 개발하여야함을 시사하는 증거이다.
이번 연구는 과학기술정보통신부(MSIT)가 지원하는 한국연구재단(NRF, No. NRF-2017R1A2B2011858)의 중견연구과제와 GIST가 지원하는 아마노 첨단 발광다이오드 연구센터(ACALED)의 노벨과제의 지원을 받아
이동선 교수,
히로시 아마노 교수(공동교신저자)가 주도하고, 협력 연구를 통해
박정환 석사(제1저자)가 수행하였으며, 관련 논문은 ADVANCED MATERIALS INTERFACES, Volume 6, Issue 18 표지논문으로 게재되었다. <끝>
