2026년 완공 목표

• 영문 명칭 : Advanced Nanofab at GIST for Emerging Low power Semiconductor
• 목적 : 반도체산업 패러다임 변화에 대응하고, 인공지능 반도체 인프라 조성을 통하여 인공지능(AI) 반도체 지원기반 구축 및 지역산업 성장동력 확보
• 임무 : (1) 인공지능(AI) 반도체 전 분야 및 전(全)공정, (2) 3차원 집적 초미세 선단공정, (3) 칩렛 이종 집적 및 팬아웃 패키징 등 첨단 후공정, (4) Edge-Computing 향 전자소자 및 광소자, (5) 광주전남지역 중심 반도체산업 연계형 R&D, (6) 현장 실무형 인력양성, 기업지원 및 연구개발
• 신축기간 : 2023~2026 (4년)
• 소요예산 : 총390.5억원 (국비 266.5억원 / 지방비 124억원)
• 용도 : 100/1000 class 6인치 공정 인프라
• 면적 : 5,520㎡(팹 전용 3,312㎡)

• 영문 명칭: G-NICS(GIST Nanoinfra for Compound Semiconductor)
• 용도 : 100/1000 class 화합물 반도체 공정 인프라
• 면적 : 400㎡
• 장비 : 46대
  • 박막 : MBE, MOCVD, sputter, PECVD, ALD, evaporators
  • 노광 : E-beam litho, hologram litho, photolitho
  • 식각: RIE, ICP-RIE
  • 후속 : CMP, lapping polishing, dicing machine
  • 분석 : EL, PL, Raman, SEM, surface profiler, ellipsometer
• 주요 연혁 :
  • 1996 클린룸 준공
  • 1997 한국연구재단 우수연구센터 지원 프로그램 선정, 초고속 광네트워크연구센터(UFON)
  • 2019 후속공정실 증설 / GIST 중앙연구기기센터 설치
  • 2020 KIAT 반도체 인프라 구축 지원사업(참여) 선정, 클린룸 관리실 증설
  • 2021 NRF 대학 나노인프라 구축 지원사업(참여) 선정, 물성분석실 증설
  • 2022 GIST 화합물반도체 광융합 나노공정센터(G-NICS)로 승격
  • 2023 AI반도체 첨단 공정 팹 사업 지원

• 영문 명칭: GAIA (GIST Advanced Institute of Instrumental Analysis)
• 용도 : 물성 분석 및 소자 측정 인프라
• 면적 : 2,482㎡
• 장비 : 총 59대, 구면수차 보정 투과전자현미경 등 보유